Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD65N03R-1G

MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD65N03R

NTD65N03R-1G Hakkında

NTD65N03R-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilimi ile 9.5A sürekli akım (Ta) veya 32A (Tc) ile çalışır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 8.4mOhm on-resistance değeri sayesinde güç uygulamalarında ısı kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. Bileşenin Vgs(th) eşik gerilimi 2V olup, ±20V maksimum gate gerilimi ile kontrol edilebilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 20 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok