Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD65N03R

MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD65N03R

NTD65N03R Hakkında

NTD65N03R, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi (Vdss) ve 32A sürekli dren akımı (Tc) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 8.4mΩ maksimum kanal direnci (10V gate geriliminde) düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 50W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok