Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD6416ANLT4G

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD6416AN

NTD6416ANLT4G Hakkında

NTD6416ANLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 74mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, elektrik çevirici devreleri, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 71W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile ağır yüklü devrelerde güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok