Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD6416ANL-1G
MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD6416ANL
NTD6416ANL-1G Hakkında
NTD6416ANL-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251 (IPAK) paketlemesi ile through-hole montajı destekler. 74mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 71W maksimum güç dağıtımı kapasitesi vardır. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve DC-DC konverterler gibi endüstriyel ve elektronik devrelerde kullanılır. Gate charge karakteristiği ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok