Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD6415ANT4G

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD6415AN

NTD6415ANT4G Hakkında

NTD6415ANT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 55mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor sürücülerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 83W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 10V gate sürme gerilimi ile standart dijital lojik seviyelerinden kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok