Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD6415AN-1G
MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD6415AN
NTD6415AN-1G Hakkında
NTD6415AN-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 23A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 55mOhm maksimum on-state direnç (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığında çalışabilir. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama power supply devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Gate charge 29nC ve input capacitance 700pF değerleriyle hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 23A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok