Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD60N03-001

MOSFET N-CH 28V 60A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD60N03

NTD60N03-001 Hakkında

NTD60N03-001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 28V drain-source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde gelen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alır. 7.5mΩ (10V, 30A'de) düşük RDS(on) değeri, minimal enerji kaybı sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 75W'a kadar güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 28 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 24 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok