Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD60N02R-35G

MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD60N02R

NTD60N02R-35G Hakkında

NTD60N02R-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Drain-Source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 8.5A sürekli akım ve 32A pik akım kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketlemesi ile Through Hole montajına uygundur. 10.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil çalışır. Güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 14nC Gate Charge ve 1330pF Input Capacitance değerleri hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1330 pF @ 20 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok