Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD60N02R-1G
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD60N02R
NTD60N02R-1G Hakkında
NTD60N02R-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 8.5A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 32A drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketlemesiyle sunulan transistör, düşük on-state direnci (Rds On: 10.5mOhm @ 20A, 10V) nedeniyle güç uygulamalarında verimli çalışır. ±20V kapı gerilim aralığı ve 2V gate threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Ürün şu anda üretim dışı statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta), 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1330 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok