Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD600N80S3Z
MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD600N80S3
NTD600N80S3Z Hakkında
NTD600N80S3Z, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 600mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SuperFET teknolojisi kullanılarak geliştirilmiştir. D-PAK (TO-252) yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V sürücü gerilimi ile standart kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 725 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok