Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD5C648NLT4G

MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD5C648N

NTD5C648NLT4G Hakkında

NTD5C648NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source voltaj desteği ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. 22A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 91A kapasitesi (Tc) ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 4.1mΩ düşük RDS(on) direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. TO-252 (DPAK) paket tipi yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 91A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 4.4W (Ta), 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok