Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD5867NLT4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD5867NL
NTD5867NLT4G Hakkında
NTD5867NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drenaj-kaynak gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 39mΩ (10V, 10A) açık durum direnci sayesinde ısı kaybını minimize eder. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç dağıtım sistemleri ve batarya yönetim uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 675 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok