Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD5867NL-1G
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD5867NL
NTD5867NL-1G Hakkında
NTD5867NL-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve röle sürücü uygulamalarında yer alır. 39mΩ (10A, 10V'de) maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 2.5V eşik voltajı ile TTL/CMOS lojik seviyesiyle uyumludur. 36W maksimum güç dağılımı kapasitesi endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 675 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok