Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD5865NT4G
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD5865NT4G
NTD5865NT4G Hakkında
NTD5865NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 43A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 18mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketine sahip olup, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, load switching ve power management devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürüş voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1261 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok