Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD5865NLT4G

MOSFET N-CH 60V 46A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD5865NL

NTD5865NLT4G Hakkında

NTD5865NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 46A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V kapı gerilimi altında 16mOhm on-resistance değerine sahip olup, düşük iletim kayıpları sunar. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok