Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD5865N-1G
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD5865N
NTD5865N-1G Hakkında
NTD5865N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 43A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 18mΩ maksimum on-direnci ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arası işletme sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 71W maksimum güç tüketim kapasitesi ile orta-güç uygulamaları için uygundur. Düşük gate yükü (23nC @ 10V) hızlı anahtarlama davranışını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1261 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok