Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD5807NT4G

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD5807

NTD5807NT4G Hakkında

NTD5807NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drenaj akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 31mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtar modlu güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 603 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok