Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD5803NT4G

MOSFET N-CH 40V 76A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD5803NT

NTD5803NT4G Hakkında

NTD5803NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ile 76A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 7.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 83W maksimum güç tüketimine dayanıklıdır. Motor kontrolü, DC-DC konverterleri, güç kaynakları ve endüstriyel kumanda sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 5V ve 10V drive voltajlarında çalışabilir, 51nC gate charge ve 3.2nF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3220 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok