Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD5802NT4G
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD5802N
NTD5802NT4G Hakkında
NTD5802NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, yüksek akım anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 40V drain-source gerilimi ve 16.4A sürekli drain akımı (25°C'de) kapasitesiyle, güç dönüştürme, motor kontrolü ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 4.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajı paketi, kompakt devre tasarımı gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerine entegre edilebilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.4A (Ta), 101A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5025 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok