Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD5407NG

MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD5407

NTD5407NG Hakkında

NTD5407NG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 7.6A sürekli drenaj akımı (Ta @ 25°C) ve 38A (Tc) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 26mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bileşen, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve anahtarlanmış güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanıldığı belirtilmiştir. Maksimum 75W güç tüketimi desteği ile orta güç seviyesi uygulamalarına uygundur. Dipolar olmayan kontrol karakteristiği sayesinde sürücü devrelerinin tasarımını basitleştirir. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmış durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 32 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok