Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD50N03R-1G

MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD50N03R

NTD50N03R-1G Hakkında

NTD50N03R-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 45A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, battery charging ve DC-DC konverter gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 50W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. Kısa açılış/kapanış zamanları sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama devreleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 11.5V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok