Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4969N-1G
MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4969N
NTD4969N-1G Hakkında
NTD4969N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 41A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, güç yönetimi ve switching uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde tedarik edilen bu bileşen, düşük 9mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. 9nC gate charge ve 837pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemi sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC konvertörler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 41A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 837 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok