Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4965N-35G

MOSFET N-CH 30V 13A/68A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4965N

NTD4965N-35G Hakkında

NTD4965N-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 13A (Ta) / 68A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.7mΩ RDS(on) değeri düşük kayıp sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç dönüştürücüler, yükseltici devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate gerilimi toleransı ile geniş tasarım esnekliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.39W (Ta), 38.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok