Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4960NT4G
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4960
NTD4960NT4G Hakkında
NTD4960NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 55A sürekli drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan transistör, 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate threshold gerilimi 2.5V olup, ±20V maksimum gate-source gerilimi aralığında güvenli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama ve power conversion uygulamalarında kullanılır. 22nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok