Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4960N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4960N
NTD4960N-35G Hakkında
NTD4960N-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 8.9A sürekli (Ta) / 55A (Tc) drain akımına sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8mΩ on-direnç (Vgs=10V, Id=30A) ile düşük güç tüketimi sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 22nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel, otomotiv ve elektronik uygulamalarında yer alır. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok