Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4960N-1G
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4960N
NTD4960N-1G Hakkında
NTD4960N-1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 55A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen kompakt tasarımı, PWM kontrol, motor sürücü, güç kaynakları ve batarya yönetim sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Gate charge değeri 22nC ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Bileşen müreteniş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok