Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4959NHT4G

MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD4959

NTD4959NHT4G Hakkında

NTD4959NHT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 9A (Ta) / 58A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 9mΩ (Rds On @ 30A, 10V) düşük iletim direnci ve 44nC (@ 11.5V) kapı yükü ile anahtarlama devrelerinde ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 1.3W (Ta) / 52W (Tc) güç tüketebilir. 4.5V-11.5V drive gerilimi aralığında çalışır. Onsemi tarafından üretilen ürün mevcut olarak obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 58A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2155 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok