Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4959NH-1G
MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4959NH
NTD4959NH-1G Hakkında
NTD4959NH-1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında çalışabilen bu bileşen, 58A'e kadar sürekli drenaj akımını (Tc'de) destekler. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan transistör, düşük 9mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile güç kayıplarını minimize eder. Gate charge 44nC olarak belirtilmiş, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Switching uygulamaları, motor kontrol devrelerinde, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 52W güç dağıtma kapasitesi (Tc'de) ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Bileşen mevcut durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 11.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2155 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok