Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4959N-1G

MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4959N

NTD4959N-1G Hakkında

NTD4959N-1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile 9A sürekli (Ta) veya 58A (Tc) dren akımı sağlar. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, düşük 9mOhm on-resistance (10V Vgs'de) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 25nC gate charge ile hızlı anahtar geçişleri mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 58A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1456 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok