Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4909NAT4G

MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD4909NAT

NTD4909NAT4G Hakkında

NTD4909NAT4G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 25°C sıcaklıkta 8.8A (Ta) ve uygun soğutma koşullarında 41A (Tc) sürekli dren akımına sahiptir. RDS(on) değeri 30A akımda ve 10V gate geriliminde 8mOhm'dur. TO-252-3 (DPAK) surface mount paketinde sunulan bu transistör, gate yükü 17.5nC ve input kapasitansi 1314pF özellikleriyle anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Threshold gerilimi 250µA akımda maksimum 2.2V'tur. Kompakt boyutu sayesinde yoğun PCB tasarımlarında tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 41A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1314 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok