Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4909NA-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4909NA
NTD4909NA-35G Hakkında
NTD4909NA-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.8A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 8mΩ düşük RDS(on) değeri sayesinde anahtarlama devrelerinde verimli çalışır. Gate şarj karakteristiği 17.5nC ve eşik gerilimi 2.2V olan transistör, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta), 41A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1314 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok