Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4909N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4909N
NTD4909N-35G Hakkında
NTD4909N-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistördür. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi desteği ile çalışır. 25°C'de 8.8A ve Tc'de 41A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde maksimum 8mΩ Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi 2.2V @ 250µA'dır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 175°C) güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Bileşen artık obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta), 41A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1314 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok