Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4909N-1G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4909N
NTD4909N-1G Hakkında
NTD4909N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj, 8.8A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 41A drenaj akımı (Tc) ile çalışır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, düşük 8mΩ RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen NTD4909N, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 17.5nC olup, 4.5V ve 10V gate voltajlarında optimize edilmiştir. Parça obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta), 41A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1314 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok