Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4906N-1G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4906N
NTD4906N-1G Hakkında
NTD4906N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10.3A (Ta) / 54A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 5.5mΩ (30A, 10V) düşük RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum gate charge değeri 24nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Ta), 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1932 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok