Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4865N-35G

MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4865N

NTD4865N-35G Hakkında

NTD4865N-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 10.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sağlar. TO-251-3 IPAK paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında çalışma imkanı verir. 4.5V ve 10V gate sürücü gerilimleri ile çalışmaya uygun olan bu transistör elektronik sistemlerde verimli anahtar görevi gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 827 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok