Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4865N-1G

MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4865N

NTD4865N-1G Hakkında

NTD4865N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ile 8.5A sürekli ve 44A (Tc'de) yüksek akım kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama ve motor sürücü uygulamalarında, LED aydınlatma devreleri ile hassas PWM kontrolü gerektiren sistemlerde kullanılır. 10.9mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 33.3W güç yayabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, solenoid sürme ve anahtarlama güç kaynağı tasarımlarında tercih edilen bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 827 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok