Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4863N-1G

MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4863N

NTD4863N-1G Hakkında

NTD4863N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 9.2A (Ta) / 49A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 9.3mOhm (10V, 30A) düşük on-direnci ve 13.5nC gate charge özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Güç kaynakları, motor sürücüleri, inverterler ve düşük voltaj anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrollenebilirlik sunur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 990 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok