Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4860NA-1G

MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4860NA

NTD4860NA-1G Hakkında

NTD4860NA-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Vdss ve 65A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sağlanan bu bileşen, düşük 7.5mOhm on-state direnci ile enerji kaybını minimalize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılmasını uygun kılar. 21.8nC gate charge ve 1308pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Güç dişlemesi, termal yönetim gerektiren DC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1308 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok