Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4860N-1G
MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4860N
NTD4860N-1G Hakkında
NTD4860N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj ile 10.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paket türüyle through-hole montajına uyumludur. 7.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip olup, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 16.5nC olup hızlı anahtarlama performansı sağlar. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.4A (Ta), 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1308 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.28W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok