Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4858NA-1G
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4858NA
NTD4858NA-1G Hakkında
NTD4858NA-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilimi ve sürekli 11.2A (Ta) / 73A (Tc) drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6.2mΩ (30A, 10V) gate açılış direnci ile güç uygulamalarında, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 19.2nC gate yükü ve 1563pF giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 54.5W maksimum güç dağıtım kapasitesi sayesinde orta güçlü DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.2A (Ta), 73A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1563 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok