Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4857NT4G

MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD4857NT4G

NTD4857NT4G Hakkında

NTD4857NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source geriliminde çalışan bu bileşen, 12A sürekli ve 78A geçici akım kapasitesine sahiptir. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 5.7mOhm olarak belirtilmiştir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (24nC) ve düşük input capacitance (1960pF) özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, SMD montajı için uygundur. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 78A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok