Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4857NA-1G

MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4857NA

NTD4857NA-1G Hakkında

NTD4857NA-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 12A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paket türü sayesinde PCB'ye dikey montaj sağlar. 5.7mOhm on-state direnci düşük güç kaybı gerektiren switching devreleri, motor kontrol uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 32nC olup, hızlı anahtarlama özelliği sunar. Cihaz obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 78A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok