Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4855N-1G

MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4855N

NTD4855N-1G Hakkında

NTD4855N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajı ve 14A (Ta) / 98A (Tc) sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, düşük 4.3mOhm on-resistance değeri sayesinde anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) endüstriyel uygulamaları destekler. 32.7nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Through-hole montajı ile PCB tasarımlarında kolay kullanım imkanı sunar. Ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 98A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2950 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok