Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4854N-1G
MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4854N
NTD4854N-1G Hakkında
NTD4854N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 15.7A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmış olup, TO-251-3 (IPak) paketinde sunulmaktadır. 3.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 93.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesi (Tc) ile ısı transferi gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.7A (Ta), 128A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok