Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4815NH-1G

MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4815NH

NTD4815NH-1G Hakkında

NTD4815NH-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol uygulamalarında ve genel amaçlı güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 15mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sunar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 6.8nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon performansı sağlar. Ürün kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 845 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok