Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4813NT4G

MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD4813NT

NTD4813NT4G Hakkında

NTD4813NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim aralığında çalışabilen bu bileşen, 7.6A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drain akımı sağlar. RDS(on) maksimum değeri 10V gate geriliminde 13mOhm olup, düşük on-direnci uygulamaları için uygundur. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate eşik gerilimi maksimum 2.5V (250µA'de) olup, 4.5V ile tam iletim sağlanır. 1.27W (Ta) / 35.3W (Tc) güç dağılabilmesiyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. Düşük gate charge (7.9nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok