Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4810NT4G

MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD4810N

NTD4810NT4G Hakkında

NTD4810NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 9A sürekli (Ta) ve 54A sürekli (Tc) akım kapasitesine sahiptir. DPAK paket tipinde sunulan komponentin maksimum RDS(on) değeri 10mΩ (30A, 10V koşullarında) olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, düşük gate charge (11 nC @ 4.5V) ve kompakt giriş kapasitansı (1350 pF @ 12V) özellikleriyle tanınır. Power dissipation kapasitesi 1.4W (Ta) ve 50W (Tc) seviyesindedir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok