Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4810N-35G

MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4810N

NTD4810N-35G Hakkında

NTD4810N-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9A (Ta) / 54A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-251-3 IPAK paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor sürücüler, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Maksimum 50W güç dağıtım kapasitesi (Tc) ile orta-seviye güç uygulamalarına uygundur. 11nC gate charge ve 1350pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok