Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4810N-1G
MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4810N
NTD4810N-1G Hakkında
NTD4810N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ile 9A (Ta) / 54A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 50W (Tc) güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok