Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4809NT4G

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD4809N

NTD4809NT4G Hakkında

NTD4809NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecesi ve 9.6A sürekli drain akımı (Ta) / 58A (Tc) kapasitesi ile tasarlanmıştır. 9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, anahtar kontrol ve motor sürücü uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 52W güç dissipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamalarında yer alır. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate charge değeri (25nC) ile hassas kontrol gerektiren devrelerde tercih edilebilir. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1456 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok